Samsung MZ-VAP4T0BW * Kapacitás: 4 TB * Interfész: PCIe Gen 5.0 x4, NVMe 2.0 *
Forma: M.2 (2280) * Méretek: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm * Tömeg: legfeljebb 9 g *
NAND flash memória: Samsung V-NAND TLC (V8) * Kontroller: Samsung saját
fejlesztésű (5 nm) * DRAM cache memória: 4 GB LPDDR4X * Szekvenciális olvasási
sebesség: legfeljebb 14 800 MB/s * Szekvenciális írási sebesség: legfeljebb 13
400 MB/s * Véletlenszerű olvasás (4KB, QD32): legfeljebb 2 200 000 IOPS *
Véletlenszerű írás (4KB, QD32): legfeljebb 2 600 000 IOPS * Átlagos
energiafogyasztás (olvasás/írás): 9,0 W / 8,2 W * Energiafogyasztás (készenléti
állapot): 6,5 mW * L1.2 mód fogyasztás: 5,7 mW * Üzemi hőmérséklet: 0°C - 70°C *
Nem üzemi hőmérséklet: -40°C - 85°C * Ütésállóság: 1 500 G, 0,5 ms (fél szinusz
hullám) * MTBF (átlagos meghibásodásmentes idő): 1,5 millió óra * TBW (írási
terhelhetőség): 2 400 TB * Titkosítás: AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, IEEE1667 *
Támogatott funkciók: TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard
* Szoftver: Samsung Magician * RoHS megfelelőség: Igen * Kompatibilitás: PCIe
5.0 rendszerekkel és PlayStation 5-tel